一、設(shè)備分類：按半導(dǎo)體工藝階段與結(jié)構(gòu)劃分

按處理對(duì)象尺寸：

晶圓級(jí)清洗機(jī)：適配 4 英寸、6 英寸、8 英寸、12 英寸（主流）、18 英寸（下一代）晶圓，腔體尺寸與晶圓尺寸匹配，確保均勻性；

封裝級(jí)清洗機(jī)：針對(duì)半導(dǎo)體封裝件（如 QFP、BGA、SiP），腔體設(shè)計(jì)更靈活，支持批量處理或單顆精密清洗。

按等離子激發(fā)方式：

CCP 型（電容耦合等離子）：結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，等離子密度適中，適合表面清洗、活化（如光刻前清洗）；

ICP 型（電感耦合等離子）：等離子密度更高，可實(shí)現(xiàn)深溝槽、高 Aspect Ratio（長(zhǎng)徑比）結(jié)構(gòu)的清洗（如 3D NAND 的深孔殘?jiān)コ?/span>

MW 型（微波等離子）：等離子純度高、電子溫度低，適合對(duì)熱敏感的半導(dǎo)體材料（如 GaN、InP 化合物半導(dǎo)體）。

按清洗環(huán)境：

真空等離子清洗機(jī)：主流類型，通過(guò)真空腔體降低氣體分子碰撞，等離子體更穩(wěn)定、均勻，適合高精度工藝；

大氣等離子清洗機(jī)：無(wú)需真空系統(tǒng)，效率高，適合半導(dǎo)體封裝后的表面活化（如引線鍵合前處理），但精度略低于真空型。

二、選型要點(diǎn)：半導(dǎo)體企業(yè) / 實(shí)驗(yàn)室的核心考量因素

工藝兼容性：

確認(rèn)設(shè)備支持的 “氣體類型”“晶圓尺寸” 是否匹配自身工藝（如 12 英寸晶圓需選擇對(duì)應(yīng)腔體，化合物半導(dǎo)體需低溫等離子功能）；

關(guān)注是否支持 “多工藝程序存儲(chǔ)”（如不同晶圓批次、不同工序的參數(shù)快速切換）。

潔凈度標(biāo)準(zhǔn)：

設(shè)備需滿足半導(dǎo)體行業(yè)的潔凈度等級(jí)（如 ISO Class 1 級(jí)腔體、Class 100 級(jí)設(shè)備外部環(huán)境），避免引入顆?；蚪饘傥廴?；

優(yōu)先選擇具備 “腔體自清潔功能” 的設(shè)備，減少交叉污染風(fēng)險(xiǎn)。

自動(dòng)化與產(chǎn)線集成：

量產(chǎn)場(chǎng)景需選擇支持SECS/GEM 協(xié)議（半導(dǎo)體設(shè)備與產(chǎn)線控制系統(tǒng)的通信標(biāo)準(zhǔn)）的設(shè)備，可與 MES 系統(tǒng)對(duì)接，實(shí)現(xiàn)工藝數(shù)據(jù)追溯；

實(shí)驗(yàn)室研發(fā)場(chǎng)景可選擇小型化、手動(dòng)操作型號(hào)（如桌面式真空等離子清洗機(jī)），兼顧靈活性與精度。

可靠性與售后：

核心部件（如真空泵、等離子電源、氣體質(zhì)量流量計(jì) MFC）需選擇行業(yè)成熟品牌（如愛德華真空泵、Horiba MFC），確保長(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)行；

供應(yīng)商需提供工藝調(diào)試支持（如針對(duì)特定污染物的氣體配比優(yōu)化）和快速售后響應(yīng)（半導(dǎo)體產(chǎn)線停工成本極高）。

三、主流應(yīng)用領(lǐng)域

集成電路（IC）制造：晶圓清洗、光刻膠剝離、金屬互聯(lián)前處理；

半導(dǎo)體封裝：BGA/CSP 封裝前活化、引線鍵合預(yù)處理、Underfill（底部填充）前清洗；

MEMS 器件：微結(jié)構(gòu)清洗、鍵合預(yù)處理、犧牲層去除；

化合物半導(dǎo)體：GaN 基 LED 芯片清洗、SiC 功率器件氧化層去除。

總之，半導(dǎo)體等離子清洗機(jī)的技術(shù)壁壘遠(yuǎn)高于普通工業(yè)設(shè)備，其核心價(jià)值在于 “精準(zhǔn)控制 + 零污染 + 工藝適配”，是半導(dǎo)體制造中保障器件性能和良率的關(guān)鍵設(shè)備之一。選型時(shí)需緊密結(jié)合自身工藝節(jié)點(diǎn)、產(chǎn)能需求和潔凈度標(biāo)準(zhǔn)，必要時(shí)可聯(lián)合設(shè)備供應(yīng)商進(jìn)行工藝驗(yàn)證。